原標(biāo)題：中國(guó)芯，湖北造！我國(guó)首批三維NAND閃存芯片年內(nèi)量產(chǎn)
國(guó)家存儲(chǔ)器基地首臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)場(chǎng)
我國(guó)首批三維NAND閃存芯片年內(nèi)量產(chǎn)
湖北日?qǐng)?bào)訊我國(guó)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的三維NAND閃存芯片距離批量生產(chǎn)又進(jìn)一步。4月11日上午，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，首套芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝。這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入生產(chǎn)準(zhǔn)備階段。年內(nèi)，32層三維NAND閃存芯片將在中國(guó)光谷實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
作為電子產(chǎn)品的制造大國(guó)和消費(fèi)大國(guó)，中國(guó)通用存儲(chǔ)器需求占全球產(chǎn)能的50%。三維NAND閃存芯片多用于手機(jī)、高性能服務(wù)器，目前全部依賴進(jìn)口，市場(chǎng)話語權(quán)被三星、東芝、鎂光等美、日、韓企業(yè)把控。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)說，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目是中國(guó)集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，更是打破西方國(guó)家壟斷的重要抓手。未來10年，紫光集團(tuán)至少將投資1000億美元，推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全介紹，接下來2到3個(gè)月內(nèi)，近3000套生產(chǎn)機(jī)臺(tái)將陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)安裝調(diào)試，7月底8月初具備試生產(chǎn)條件，年內(nèi)預(yù)計(jì)可生產(chǎn)出5000片32層三維NAND閃存芯片。2019年，32層三維NAND閃存芯片產(chǎn)量將提升至每年10萬片，當(dāng)年底試產(chǎn)64層三維NAND閃存芯片。2020年，64層三維NAND閃存芯片產(chǎn)能將提升至每年10萬片，并研發(fā)具有全球先進(jìn)水平的128層三維NAND閃存芯片。
武漢市市長(zhǎng)萬勇表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地機(jī)臺(tái)搬入，是“中國(guó)芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。期待“中國(guó)芯”在全球市場(chǎng)反響良好，期待基地第二、第三工廠盡早開工建設(shè)。
國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目2016年3月正式啟動(dòng)，分三期建設(shè)。至2020年，三期全部完工后，基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元，形成設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。
（責(zé)編 徐柯）
